N6 SiC功率？槲1200V半桥SiC MOSFET功率？，？榈纪ǖ缱璋2.9mΩ、2.2mΩ、1.5mΩ等，知足车用系统高功率密度的需求。？槲肭诺缏，内部接纳多SiC芯片并联设计，通过串联门极电阻保证芯片均流。？榻幽傻偷绺、高效散热封装设计，模块功率回路杂散电感小于6.5nH。？榻幽苫费踝⑺芊庾肮ひ，pinfin水冷散热基板直接水冷散热，？槟诓拷幽筛呷鹊悸省⒏呖煽啃缘腁MB散热绝缘基板。SiC芯片接纳双面银浆烧结及铜线jian合毗连，优先zeng加？槭褂檬倜，？橥ü175℃ AQG-324可靠性认证，可恒久事情在175℃结温情形。