N6 SiC功率模块为1200V半桥SiC MOSFET功率？椋？榈纪ǖ缱璋2.9mΩ、2.2mΩ、1.5mΩ等，知足车用系统高功率密度的需求。？槲肭诺缏，内部接纳多SiC芯片并联设计，通过串联门极电阻保证芯片均流。模块接纳低电感、高效散热封装设计，？楣β驶芈吩由⒌绺行∮6.5nH。？榻幽苫费踝⑺芊庾肮ひ，pinfin水冷散热基板直接水冷散热，模块内部接纳高热导率、高可靠性的AMB散热绝缘基板。SiC芯片接纳双面银浆烧结及铜线jian合毗连，优先zeng加？槭褂檬倜，模块通过175℃ AQG-324可靠性认证，可恒久事情在175℃结温情形。